MIG50J6CSB1W, MIG50J7CSB1W – (600V, 50A)

아이지인터내셔날은 Toshiba IPM를 판매하고 있습니다.

이번 포스트에서는 MIG50J6CSB1W, MIG50J7CSB1W 모듈을 소개합니다. 용량은 600V, 50A 입니다.

제품 이미지

MIG50J6CSB1W

상세내용 :

 

High Power Switching Applications
Motor Control Applications

• Integrates inverter, circuit and control circuits (IGBT drive units, and units for protection against short-circuit
current, overcurrent, undervoltage and overtemperature) into a single package.
• The electrodes are isolated from the case
• Low thermal resistance

 

1. Power Electronics 장치 간 통합 개발 낮은 전도 및 스위칭 손실 반도체는 장비 및 장비의 에너지 효율을 향상시키고 에너지 소비를 감소시킵니다

2. 2018 년 10 월 현재 100V 급 MOSFET에서 전력 변환기의 효율 및 소형화를

주도하고 있습니다

3. Si Power devices processing 기술 저 전도 및 스위칭 손실 소자 구조 개발

디바이스 성능을 극대화하는 회로 및 제어 기술 차세대 전력 디바이스 (SiC, GaN) 업계 최고 수준의 저 온 저항 MOSFET

MIG50J7CSB1W

아이지 인터내셔날은 IGBT, 사이리스터, 다이오드 모듈, SCR 모듈 전문 판매 대리점 입니다.

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